Elettronica transistor germanio (AC128) isolato su sfondo bianco di ripresa macro Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/elettronica-transistor-germanio-ac128-isolato-su-sfondo-bianco-di-ripresa-macro-image264327475.html
RFWA14AY–Elettronica transistor germanio (AC128) isolato su sfondo bianco di ripresa macro
Transistor e diodi retro germanio, condensatori elettrolitici e ceramici, resistenze al carbonio, bobine in alluminio con nucleo in ferrite a vite su scheda a circuito stampato. Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/transistor-e-diodi-retro-germanio-condensatori-elettrolitici-e-ceramici-resistenze-al-carbonio-bobine-in-alluminio-con-nucleo-in-ferrite-a-vite-su-scheda-a-circuito-stampato-image450459931.html
RF2H4T66K–Transistor e diodi retro germanio, condensatori elettrolitici e ceramici, resistenze al carbonio, bobine in alluminio con nucleo in ferrite a vite su scheda a circuito stampato.
Diversi tipi di vecchi transistor germanio isolati su sfondo bianco. Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/diversi-tipi-di-vecchi-transistor-germanio-isolati-su-sfondo-bianco-image327585773.html
RF2A0XPYW–Diversi tipi di vecchi transistor germanio isolati su sfondo bianco.
Raytheon ha introdotto il CK722 all'inizio del 1953 con 7.60 dollari ciascuno; il prezzo è stato ridotto a 3.50 dollari alla fine del 1954. Il modello CK722 era in realtà un "fall out" selezionato dalla linea di transistor per apparecchi acustici a prezzo premium dell'azienda. Questo transistor a giunzione PNP al germanio era molto popolare tra gli hobbisti ed è stato presentato in articoli di costruzione in riviste e libri. Questo annuncio è apparso nel numero di aprile 1955 della Popular Electronics. Raytheon CK722 aprile 1955 Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/foto-immagine-raytheon-ha-introdotto-il-ck722-all-inizio-del-1953-con-7-60-dollari-ciascuno-il-prezzo-e-stato-ridotto-a-3-50-dollari-alla-fine-del-1954-il-modello-ck722-era-in-realta-un-fall-out-selezionato-dalla-linea-di-transistor-per-apparecchi-acustici-a-prezzo-premium-dell-azienda-questo-transistor-a-giunzione-pnp-al-germanio-era-molto-popolare-tra-gli-hobbisti-ed-e-stato-presentato-in-articoli-di-costruzione-in-riviste-e-libri-questo-annuncio-e-apparso-nel-numero-di-aprile-1955-della-popular-electronics-raytheon-ck722-aprile-1955-167002059.html
RMKKKGR7–Raytheon ha introdotto il CK722 all'inizio del 1953 con 7.60 dollari ciascuno; il prezzo è stato ridotto a 3.50 dollari alla fine del 1954. Il modello CK722 era in realtà un "fall out" selezionato dalla linea di transistor per apparecchi acustici a prezzo premium dell'azienda. Questo transistor a giunzione PNP al germanio era molto popolare tra gli hobbisti ed è stato presentato in articoli di costruzione in riviste e libri. Questo annuncio è apparso nel numero di aprile 1955 della Popular Electronics. Raytheon CK722 aprile 1955
Componente elettronico semiconduttore. Un transistor e la sua ombra. Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/componente-elettronico-semiconduttore-un-transistor-e-la-sua-ombra-image610490729.html
RF2XD6749–Componente elettronico semiconduttore. Un transistor e la sua ombra.
Closeup macro diodo elettronico germanio su sfondo bianco 3d illustrazione Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/closeup-macro-diodo-elettronico-germanio-su-sfondo-bianco-3d-illustrazione-image370239424.html
RM2CE9T4G–Closeup macro diodo elettronico germanio su sfondo bianco 3d illustrazione
Transistor. Componente elettronico semiconduttore isolato sul nero. Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/transistor-componente-elettronico-semiconduttore-isolato-sul-nero-image598532729.html
RF2WNNEGW–Transistor. Componente elettronico semiconduttore isolato sul nero.
Transistor di potenza - pacchetto A-3P su sfondo bianco Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/transistor-di-potenza-pacchetto-a-3p-su-sfondo-bianco-image330144644.html
RF2A53AT4–Transistor di potenza - pacchetto A-3P su sfondo bianco
Transistor di potenza singolo. Componenti elettronici semiconduttori a tre gambe. Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/transistor-di-potenza-singolo-componenti-elettronici-semiconduttori-a-tre-gambe-image619961211.html
RF2Y0HJRR–Transistor di potenza singolo. Componenti elettronici semiconduttori a tre gambe.
icona del transistor bjt, segno vettoriale nero con tratti modificabili, illustrazione concettuale Illustrazione Vettorialehttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/icona-del-transistor-bjt-segno-vettoriale-nero-con-tratti-modificabili-illustrazione-concettuale-image389075715.html
RF2DGYX17–icona del transistor bjt, segno vettoriale nero con tratti modificabili, illustrazione concettuale
Primo piano di un transistor. Componente elettronico a semiconduttore singolo isolato. Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/primo-piano-di-un-transistor-componente-elettronico-a-semiconduttore-singolo-isolato-image629792253.html
RF2YGHECD–Primo piano di un transistor. Componente elettronico a semiconduttore singolo isolato.
Icona simbolo germanio. Element GE 32. Massa atomica 72.630. Elemento vettoriale. Illustrazione Vettorialehttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/icona-simbolo-germanio-element-ge-32-massa-atomica-72630-elemento-vettoriale-image622265623.html
RF2Y4AJ47–Icona simbolo germanio. Element GE 32. Massa atomica 72.630. Elemento vettoriale.
Elementi semiconduttori di base. Transistor isolato e circuiti integrati o microchip. Componenti elettronici. Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/elementi-semiconduttori-di-base-transistor-isolato-e-circuiti-integrati-o-microchip-componenti-elettronici-image627353347.html
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Transistor di potenza, vista schematica del logo transistor. Equipment elettronico, giunzione bipolare e transistor a effetto di campo, componenti elettronici. Illustrazione Vettorialehttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/transistor-di-potenza-vista-schematica-del-logo-transistor-equipment-elettronico-giunzione-bipolare-e-transistor-a-effetto-di-campo-componenti-elettronici-image486183771.html
RF2K6YGA3–Transistor di potenza, vista schematica del logo transistor. Equipment elettronico, giunzione bipolare e transistor a effetto di campo, componenti elettronici.
Transistor ad alta tensione sulla scheda elettronica. Transistor incapsulati in plastica TO-92L. Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/transistor-ad-alta-tensione-sulla-scheda-elettronica-transistor-incapsulati-in-plastica-to-92l-image632474182.html
RF2YMYK7J–Transistor ad alta tensione sulla scheda elettronica. Transistor incapsulati in plastica TO-92L.
Fotografia macro di una piastrina di silicio di circuito integrato, di lettura - scrittura circuito amplificatore. Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/foto-immagine-fotografia-macro-di-una-piastrina-di-silicio-di-circuito-integrato-di-lettura-scrittura-circuito-amplificatore-51307336.html
RMCYD70T–Fotografia macro di una piastrina di silicio di circuito integrato, di lettura - scrittura circuito amplificatore.
Il vecchio germanio grande transistore nero Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/foto-immagine-il-vecchio-germanio-grande-transistore-nero-176046305.html
RFM6BGT1–Il vecchio germanio grande transistore nero
Componenti semiconduttori su sfondo in legno. transistor in due casi diversi. Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/componenti-semiconduttori-su-sfondo-in-legno-transistor-in-due-casi-diversi-image591709509.html
RF2WAJKED–Componenti semiconduttori su sfondo in legno. transistor in due casi diversi.
Texas Instruments linea di assemblaggio Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/foto-immagine-texas-instruments-linea-di-assemblaggio-134945109.html
RMHRF7T5–Texas Instruments linea di assemblaggio
Set di diodi germanio vintage Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/set-di-diodi-germanio-vintage-image553280085.html
RF2R442B1–Set di diodi germanio vintage
Vecchia spia del vuoto su sfondo bianco Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/vecchia-spia-del-vuoto-su-sfondo-bianco-image430392867.html
RF2G062DR–Vecchia spia del vuoto su sfondo bianco
Diversi tipi di vecchi transistor germanio isolato su un foglio di carta millimetrata sfondo. Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/diversi-tipi-di-vecchi-transistor-germanio-isolato-su-un-foglio-di-carta-millimetrata-sfondo-image327585717.html
RF2A0XPWW–Diversi tipi di vecchi transistor germanio isolato su un foglio di carta millimetrata sfondo.
Primo piano su semiconduttore a diodo al germanio Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/primo-piano-su-semiconduttore-a-diodo-al-germanio-image549678555.html
RF2PX80GY–Primo piano su semiconduttore a diodo al germanio
RF2S06PM8–Componenti elettronici semiconduttori. Circuiti integrati, microprocessori. Messa a fuoco selezionata.
Closeup macro diodo elettronico germanio su sfondo bianco 3d illustrazione Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/closeup-macro-diodo-elettronico-germanio-su-sfondo-bianco-3d-illustrazione-image370239437.html
RM2CE9T51–Closeup macro diodo elettronico germanio su sfondo bianco 3d illustrazione
. La rivista tecnica Bell System . Se il tempo di salita viene migliorato con la corrente di innesco in-crasing, il guadagno viene diminuito. La principale causa della scarsa larghezza di banda del guadagno sembra essere la capacità dello strato di svuotamento.^^ la difficoltà può essere superata selezionando un transistor a contatto puntato. Un particolare transistore al germanio codificato GA-52996* sembra essere adatto e presenta le seguenti caratteristiche pertinenti: a. Capacità di collettore inferiore a 0.5 uuuuuf, b. Frequenza di taglio alfa superiore a 80 mc, c. Resistenza base inferiore a 100 ohm. Poiché l'alfa di questa unità è maggiore di 2 a collec Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/la-rivista-tecnica-bell-system-se-il-tempo-di-salita-viene-migliorato-con-la-corrente-di-innesco-in-crasing-il-guadagno-viene-diminuito-la-principale-causa-della-scarsa-larghezza-di-banda-del-guadagno-sembra-essere-la-capacita-dello-strato-di-svuotamento-la-difficolta-puo-essere-superata-selezionando-un-transistor-a-contatto-puntato-un-particolare-transistore-al-germanio-codificato-ga-52996-sembra-essere-adatto-e-presenta-le-seguenti-caratteristiche-pertinenti-a-capacita-di-collettore-inferiore-a-0-5-uuuuuf-b-frequenza-di-taglio-alfa-superiore-a-80-mc-c-resistenza-base-inferiore-a-100-ohm-poiche-l-alfa-di-questa-unita-e-maggiore-di-2-a-collec-image376102548.html
RM2CRTXHT–. La rivista tecnica Bell System . Se il tempo di salita viene migliorato con la corrente di innesco in-crasing, il guadagno viene diminuito. La principale causa della scarsa larghezza di banda del guadagno sembra essere la capacità dello strato di svuotamento.^^ la difficoltà può essere superata selezionando un transistor a contatto puntato. Un particolare transistore al germanio codificato GA-52996* sembra essere adatto e presenta le seguenti caratteristiche pertinenti: a. Capacità di collettore inferiore a 0.5 uuuuuf, b. Frequenza di taglio alfa superiore a 80 mc, c. Resistenza base inferiore a 100 ohm. Poiché l'alfa di questa unità è maggiore di 2 a collec
Transistor di potenza - pacchetto A-3P su sfondo bianco Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/transistor-di-potenza-pacchetto-a-3p-su-sfondo-bianco-image330144648.html
RF2A53AT8–Transistor di potenza - pacchetto A-3P su sfondo bianco
Macro Closeup electronic diodo al germanio su uno sfondo bianco 3D render Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/macro-closeup-electronic-diodo-al-germanio-su-uno-sfondo-bianco-3d-render-image241352730.html
RFT0JFTA–Macro Closeup electronic diodo al germanio su uno sfondo bianco 3D render
Le pinze di precisione afferrano tre diversi tipi di transistor Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/le-pinze-di-precisione-afferrano-tre-diversi-tipi-di-transistor-image491763476.html
RF2KG1N98–Le pinze di precisione afferrano tre diversi tipi di transistor
Transistori di potenza isolati su sfondo bianco Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/transistori-di-potenza-isolati-su-sfondo-bianco-image234173573.html
RFRGYENW–Transistori di potenza isolati su sfondo bianco
Diodi posizionati su una basetta in configurazione per il clipping audio simmetrico Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/diodi-posizionati-su-una-basetta-in-configurazione-per-il-clipping-audio-simmetrico-image549690483.html
RF2PX8FPY–Diodi posizionati su una basetta in configurazione per il clipping audio simmetrico
Un Drag'N'FLY pedale effetto fotografato in studio. Si tratta di un effetto unità è stata progettata per essere attivata e disattivata con i piedi. Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/foto-immagine-un-drag-n-fly-pedale-effetto-fotografato-in-studio-si-tratta-di-un-effetto-unita-e-stata-progettata-per-essere-attivata-e-disattivata-con-i-piedi-39961717.html
RMC90BG5–Un Drag'N'FLY pedale effetto fotografato in studio. Si tratta di un effetto unità è stata progettata per essere attivata e disattivata con i piedi.
Riga di jfet elettronico su sfondo bianco Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/riga-di-jfet-elettronico-su-sfondo-bianco-image459523200.html
RF2HKH2ET–Riga di jfet elettronico su sfondo bianco
Fotografia macro di una piastrina di silicio di circuito integrato, di lettura - scrittura circuito amplificatore. Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/foto-immagine-fotografia-macro-di-una-piastrina-di-silicio-di-circuito-integrato-di-lettura-scrittura-circuito-amplificatore-51307348.html
RMCYD718–Fotografia macro di una piastrina di silicio di circuito integrato, di lettura - scrittura circuito amplificatore.
Vecchi transistor su sfondo neutro Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/vecchi-transistor-su-sfondo-neutro-image363354590.html
RF2C346DJ–Vecchi transistor su sfondo neutro
Concetto di cloud parola semiconduttore. Collage fatto di parole su semiconduttore. Illustrazione vettoriale Illustrazione Vettorialehttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/concetto-di-cloud-parola-semiconduttore-collage-fatto-di-parole-su-semiconduttore-illustrazione-vettoriale-image545550665.html
RF2PKFYC9–Concetto di cloud parola semiconduttore. Collage fatto di parole su semiconduttore. Illustrazione vettoriale
Primo piano dei pin della CPU. Microprocessori e semiconduttori nell'elettronica. Messa a fuoco selezionata. Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/primo-piano-dei-pin-della-cpu-microprocessori-e-semiconduttori-nell-elettronica-messa-a-fuoco-selezionata-image632377401.html
RF2YMR7R5–Primo piano dei pin della CPU. Microprocessori e semiconduttori nell'elettronica. Messa a fuoco selezionata.
fila di transistor elettronici isolati su sfondo bianco con spazio di copia. transistor a 3 pin isolati. Transistor NPN e PNP isolati Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/fila-di-transistor-elettronici-isolati-su-sfondo-bianco-con-spazio-di-copia-transistor-a-3-pin-isolati-transistor-npn-e-pnp-isolati-image489865751.html
RF2KCY8NB–fila di transistor elettronici isolati su sfondo bianco con spazio di copia. transistor a 3 pin isolati. Transistor NPN e PNP isolati
Vecchia spia del vuoto su sfondo bianco Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/vecchia-spia-del-vuoto-su-sfondo-bianco-image425839914.html
RF2FMPK4A–Vecchia spia del vuoto su sfondo bianco
Diversi tipi di vecchi transistor germanio isolato su un foglio di carta millimetrata sfondo. Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/diversi-tipi-di-vecchi-transistor-germanio-isolato-su-un-foglio-di-carta-millimetrata-sfondo-image327585539.html
RF2A0XPKF–Diversi tipi di vecchi transistor germanio isolato su un foglio di carta millimetrata sfondo.
Transistori di potenza su uno sfondo blu Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/foto-immagine-transistori-di-potenza-su-uno-sfondo-blu-113364886.html
RFGGC61X–Transistori di potenza su uno sfondo blu
Transistori di potenza sullo sfondo bianco closeup. Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/foto-immagine-transistori-di-potenza-sullo-sfondo-bianco-closeup-100025634.html
RMFPMFM2–Transistori di potenza sullo sfondo bianco closeup.
Closeup macro set di diodi elettronici al germanio su un bianco illustrazione 3d di sfondo Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/closeup-macro-set-di-diodi-elettronici-al-germanio-su-un-bianco-illustrazione-3d-di-sfondo-image370239482.html
RM2CE9T6J–Closeup macro set di diodi elettronici al germanio su un bianco illustrazione 3d di sfondo
. La rivista tecnica Bell System . d(>scril)di Shock-ley, Sparks, Teal, Wallace e Pietenpol è la giunzione N-p-n tran-Sistor. Fig. 5 è uno schema di tale struttura. Al centro di una barra di germanio di tipo n a cristallo singolo si forma una BARRA DI GERMANIO A STRATO SOTTILE MONOCRISTALLINO. COLLETTORE T TIPO p Fig. 5-il transistor a giunzione n-p-n EMETTITORE PRIMARIO CONTROLLEDELECTRON COLLETORJUNCTION DI CORRENTE Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/la-rivista-tecnica-bell-system-d-gt-scril-di-shock-ley-sparks-teal-wallace-e-pietenpol-e-la-giunzione-n-p-n-tran-sistor-fig-5-e-uno-schema-di-tale-struttura-al-centro-di-una-barra-di-germanio-di-tipo-n-a-cristallo-singolo-si-forma-una-barra-di-germanio-a-strato-sottile-monocristallino-collettore-t-tipo-p-fig-5-il-transistor-a-giunzione-n-p-n-emettitore-primario-controlledelectron-colletorjunction-di-corrente-image376098301.html
RM2CRTN65–. La rivista tecnica Bell System . d(>scril)di Shock-ley, Sparks, Teal, Wallace e Pietenpol è la giunzione N-p-n tran-Sistor. Fig. 5 è uno schema di tale struttura. Al centro di una barra di germanio di tipo n a cristallo singolo si forma una BARRA DI GERMANIO A STRATO SOTTILE MONOCRISTALLINO. COLLETTORE T TIPO p Fig. 5-il transistor a giunzione n-p-n EMETTITORE PRIMARIO CONTROLLEDELECTRON COLLETORJUNCTION DI CORRENTE
Transistor di potenza - pacchetto A-3P su sfondo bianco Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/transistor-di-potenza-pacchetto-a-3p-su-sfondo-bianco-image330144601.html
RF2A53APH–Transistor di potenza - pacchetto A-3P su sfondo bianco
Closeup macro set di elettronica diodo al germanio su uno sfondo bianco 3D render Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/closeup-macro-set-di-elettronica-diodo-al-germanio-su-uno-sfondo-bianco-3d-render-image241426432.html
RFT0NWTG–Closeup macro set di elettronica diodo al germanio su uno sfondo bianco 3D render
. Apparecchio elettronico per la ricerca biologica . In Refwave o figura 45.37 nella Figura 45.37. Abbiamo visto che se la base di un transistore è di N Germa- nium, entrambi di emettitore e di collettore sono di P il germanio e questo fa pensare che ci dovrebbe essere un certo grado di reversibilità tra gli ultimi due elettrodi. In realtà questo è il caso. Se il collettore è reso negativo rispetto all'emettitore (utilizzo convenzionale) o se la polarità è invertita, la corrente che fluisce tra loro è sempre grande quando una grande corrente viene prelevato in corrispondenza della base e viceversa. Il solo punto che dovrebbe Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/apparecchio-elettronico-per-la-ricerca-biologica-in-refwave-o-figura-45-37-nella-figura-45-37-abbiamo-visto-che-se-la-base-di-un-transistore-e-di-n-germa-nium-entrambi-di-emettitore-e-di-collettore-sono-di-p-il-germanio-e-questo-fa-pensare-che-ci-dovrebbe-essere-un-certo-grado-di-reversibilita-tra-gli-ultimi-due-elettrodi-in-realta-questo-e-il-caso-se-il-collettore-e-reso-negativo-rispetto-all-emettitore-utilizzo-convenzionale-o-se-la-polarita-e-invertita-la-corrente-che-fluisce-tra-loro-e-sempre-grande-quando-una-grande-corrente-viene-prelevato-in-corrispondenza-della-base-e-viceversa-il-solo-punto-che-dovrebbe-image178412341.html
RMMA7AN9–. Apparecchio elettronico per la ricerca biologica . In Refwave o figura 45.37 nella Figura 45.37. Abbiamo visto che se la base di un transistore è di N Germa- nium, entrambi di emettitore e di collettore sono di P il germanio e questo fa pensare che ci dovrebbe essere un certo grado di reversibilità tra gli ultimi due elettrodi. In realtà questo è il caso. Se il collettore è reso negativo rispetto all'emettitore (utilizzo convenzionale) o se la polarità è invertita, la corrente che fluisce tra loro è sempre grande quando una grande corrente viene prelevato in corrispondenza della base e viceversa. Il solo punto che dovrebbe
Vecchi transistor su bianco Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/vecchi-transistor-su-bianco-image363354437.html
RF2C34685–Vecchi transistor su bianco
Concetto di cloud parola semiconduttore. Collage fatto di parole su semiconduttore. Illustrazione vettoriale Illustrazione Vettorialehttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/concetto-di-cloud-parola-semiconduttore-collage-fatto-di-parole-su-semiconduttore-illustrazione-vettoriale-image545550666.html
RF2PKFYCA–Concetto di cloud parola semiconduttore. Collage fatto di parole su semiconduttore. Illustrazione vettoriale
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RF2KCY8K8–Più transistor su sfondo bianco. Focalizzazione selettiva sui transistor
Vecchia spia del vuoto su sfondo bianco Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/vecchia-spia-del-vuoto-su-sfondo-bianco-image430392890.html
RF2G062EJ–Vecchia spia del vuoto su sfondo bianco
Close up defferent tipi di transistori di silicio isolata su sfondo bianco. Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/close-up-defferent-tipi-di-transistori-di-silicio-isolata-su-sfondo-bianco-image327585815.html
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Pacchetto di BC547 - transistor NPN su uno sfondo bianco closeup. Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/foto-immagine-pacchetto-di-bc547-transistor-npn-su-uno-sfondo-bianco-closeup-100025618.html
RMFPMFKE–Pacchetto di BC547 - transistor NPN su uno sfondo bianco closeup.
Closeup macro set di diodi elettronici al germanio su un bianco illustrazione 3d di sfondo Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/closeup-macro-set-di-diodi-elettronici-al-germanio-su-un-bianco-illustrazione-3d-di-sfondo-image370239431.html
RM2CE9T4R–Closeup macro set di diodi elettronici al germanio su un bianco illustrazione 3d di sfondo
. La rivista tecnica Bell System . Fig. Il meccanismo a 2 transistor è un raddrizzatore polarizzato in modo inclinato nella direzione a bassa conduzione. Essa quindi ha raddrizzatore barriera nel germanio vicino ad esso, che fa sì che l'impedenza del collettoresè elevata. Tuttavia, il collettore può essere influenzato dall'emettitore DEL GIORNALE TECNICO DEL SISTEMA A 370 CAMPANE se quest'ultimo è predisposto per emettere portatori di carica anomali, cioè portatori del segno non normalmente presenti all'interno del materiale. Circuiti Equivai.kntt come è stato spiegato da liardecn, Bratlain, e Shockley, molte caratteristiche del transistor sono ben Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/la-rivista-tecnica-bell-system-fig-il-meccanismo-a-2-transistor-e-un-raddrizzatore-polarizzato-in-modo-inclinato-nella-direzione-a-bassa-conduzione-essa-quindi-ha-raddrizzatore-barriera-nel-germanio-vicino-ad-esso-che-fa-si-che-l-impedenza-del-collettorese-elevata-tuttavia-il-collettore-puo-essere-influenzato-dall-emettitore-del-giornale-tecnico-del-sistema-a-370-campane-se-quest-ultimo-e-predisposto-per-emettere-portatori-di-carica-anomali-cioe-portatori-del-segno-non-normalmente-presenti-all-interno-del-materiale-circuiti-equivai-kntt-come-e-stato-spiegato-da-liardecn-bratlain-e-shockley-molte-caratteristiche-del-transistor-sono-ben-image376098425.html
RM2CRTNAH–. La rivista tecnica Bell System . Fig. Il meccanismo a 2 transistor è un raddrizzatore polarizzato in modo inclinato nella direzione a bassa conduzione. Essa quindi ha raddrizzatore barriera nel germanio vicino ad esso, che fa sì che l'impedenza del collettoresè elevata. Tuttavia, il collettore può essere influenzato dall'emettitore DEL GIORNALE TECNICO DEL SISTEMA A 370 CAMPANE se quest'ultimo è predisposto per emettere portatori di carica anomali, cioè portatori del segno non normalmente presenti all'interno del materiale. Circuiti Equivai.kntt come è stato spiegato da liardecn, Bratlain, e Shockley, molte caratteristiche del transistor sono ben
Pila di bassa di transistori di potenza in pacchetto A-92 su sfondo bianco Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/pila-di-bassa-di-transistori-di-potenza-in-pacchetto-a-92-su-sfondo-bianco-image330144559.html
RF2A53AN3–Pila di bassa di transistori di potenza in pacchetto A-92 su sfondo bianco
Vecchi transistor su bianco Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/vecchi-transistor-su-bianco-image363354423.html
RF2C3467K–Vecchi transistor su bianco
Concetto di cloud parola semiconduttore. Collage fatto di parole su semiconduttore. Illustrazione vettoriale Illustrazione Vettorialehttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/concetto-di-cloud-parola-semiconduttore-collage-fatto-di-parole-su-semiconduttore-illustrazione-vettoriale-image545550873.html
RF2PKFYKN–Concetto di cloud parola semiconduttore. Collage fatto di parole su semiconduttore. Illustrazione vettoriale
fila di transistor elettronici isolati su sfondo bianco con spazio di copia. Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/fila-di-transistor-elettronici-isolati-su-sfondo-bianco-con-spazio-di-copia-image489865383.html
RF2KCY887–fila di transistor elettronici isolati su sfondo bianco con spazio di copia.
Vecchia spia del vuoto su sfondo bianco Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/vecchia-spia-del-vuoto-su-sfondo-bianco-image425460275.html
RF2FM5AWR–Vecchia spia del vuoto su sfondo bianco
Pacchetto di BC547 - transistor NPN su uno sfondo bianco closeup. Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/foto-immagine-pacchetto-di-bc547-transistor-npn-su-uno-sfondo-bianco-closeup-100025611.html
RMFPMFK7–Pacchetto di BC547 - transistor NPN su uno sfondo bianco closeup.
. La rivista tecnica Bell System . lectrons o semplicemente elettroni. Hanno energie nella banda di conduzione del cristallo. I portatori positivi sono elettroni di difetti mancanti e sono indicati con il termine fori. Essi rappresentano stati di energia non occupati nella fascia più alta normalmente coltivata delristallo. La conduttività è chiamata di tipo n o p a seconda del wheathe cariche mobili normalmente in eccesso nel materiale in condizioni di equilibrio sono elettroni (portatori negativi) o buchi (portatori positivi). Il germanio utilizzato nel transistor è di tipo n con circa 5 X 10^^ elettroni di conduttività p Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/la-rivista-tecnica-bell-system-lectrons-o-semplicemente-elettroni-hanno-energie-nella-banda-di-conduzione-del-cristallo-i-portatori-positivi-sono-elettroni-di-difetti-mancanti-e-sono-indicati-con-il-termine-fori-essi-rappresentano-stati-di-energia-non-occupati-nella-fascia-piu-alta-normalmente-coltivata-delristallo-la-conduttivita-e-chiamata-di-tipo-n-o-p-a-seconda-del-wheathe-cariche-mobili-normalmente-in-eccesso-nel-materiale-in-condizioni-di-equilibrio-sono-elettroni-portatori-negativi-o-buchi-portatori-positivi-il-germanio-utilizzato-nel-transistor-e-di-tipo-n-con-circa-5-x-10-elettroni-di-conduttivita-p-image376098978.html
RM2CRTP2A–. La rivista tecnica Bell System . lectrons o semplicemente elettroni. Hanno energie nella banda di conduzione del cristallo. I portatori positivi sono elettroni di difetti mancanti e sono indicati con il termine fori. Essi rappresentano stati di energia non occupati nella fascia più alta normalmente coltivata delristallo. La conduttività è chiamata di tipo n o p a seconda del wheathe cariche mobili normalmente in eccesso nel materiale in condizioni di equilibrio sono elettroni (portatori negativi) o buchi (portatori positivi). Il germanio utilizzato nel transistor è di tipo n con circa 5 X 10^^ elettroni di conduttività p
Pila di bassa di transistori di potenza in pacchetto A-92 su sfondo bianco Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/pila-di-bassa-di-transistori-di-potenza-in-pacchetto-a-92-su-sfondo-bianco-image330144588.html
RF2A53AP4–Pila di bassa di transistori di potenza in pacchetto A-92 su sfondo bianco
Vecchi transistor su sfondo neutro Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/vecchi-transistor-su-sfondo-neutro-image363354600.html
RF2C346E0–Vecchi transistor su sfondo neutro
fila di transistor elettronici isolati su sfondo bianco con spazio di copia. transistor a 3 pin isolati. Transistor NPN e PNP isolati Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/fila-di-transistor-elettronici-isolati-su-sfondo-bianco-con-spazio-di-copia-transistor-a-3-pin-isolati-transistor-npn-e-pnp-isolati-image489865812.html
RF2KCY8RG–fila di transistor elettronici isolati su sfondo bianco con spazio di copia. transistor a 3 pin isolati. Transistor NPN e PNP isolati
Vecchia spia del vuoto su sfondo bianco Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/vecchia-spia-del-vuoto-su-sfondo-bianco-image431816032.html
RF2G2EWN4–Vecchia spia del vuoto su sfondo bianco
. Il giornale tecnico Bell System . WN in Fig. 2. Queste tecniche servono semplicemente ad illustrare graficamente le differenze nei due tipi di contatto. Sebbene entrambi i punti, quando formati, siano costituiti da una regione formata nel germanio bulk di dimensioni e forma simili, le caratteristiche del diodo della giunzione sotto il punto drogato con il donatore sono degradate. La tecnica di placcatura può anche essere regolata per consentire la sensibilità al modello di flusso in corrente in un transistor con entrambi i punti polarizzati ai valori di funzionamento. L'esempio mostrato in Fig. la figura 8 mostra visivamente l'ingombro del flusso di corrente nel contatto puntato Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/il-giornale-tecnico-bell-system-wn-in-fig-2-queste-tecniche-servono-semplicemente-ad-illustrare-graficamente-le-differenze-nei-due-tipi-di-contatto-sebbene-entrambi-i-punti-quando-formati-siano-costituiti-da-una-regione-formata-nel-germanio-bulk-di-dimensioni-e-forma-simili-le-caratteristiche-del-diodo-della-giunzione-sotto-il-punto-drogato-con-il-donatore-sono-degradate-la-tecnica-di-placcatura-puo-anche-essere-regolata-per-consentire-la-sensibilita-al-modello-di-flusso-in-corrente-in-un-transistor-con-entrambi-i-punti-polarizzati-ai-valori-di-funzionamento-l-esempio-mostrato-in-fig-la-figura-8-mostra-visivamente-l-ingombro-del-flusso-di-corrente-nel-contatto-puntato-image376104853.html
RM2CRW1G5–. Il giornale tecnico Bell System . WN in Fig. 2. Queste tecniche servono semplicemente ad illustrare graficamente le differenze nei due tipi di contatto. Sebbene entrambi i punti, quando formati, siano costituiti da una regione formata nel germanio bulk di dimensioni e forma simili, le caratteristiche del diodo della giunzione sotto il punto drogato con il donatore sono degradate. La tecnica di placcatura può anche essere regolata per consentire la sensibilità al modello di flusso in corrente in un transistor con entrambi i punti polarizzati ai valori di funzionamento. L'esempio mostrato in Fig. la figura 8 mostra visivamente l'ingombro del flusso di corrente nel contatto puntato
Vecchi transistor su bianco Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/vecchi-transistor-su-bianco-image363354579.html
RF2C346D7–Vecchi transistor su bianco
. La rivista tecnica Bell System . Fig. Vista in sezione del transistor. COLLETTORE EMETTITORE. Fig. Il meccanismo a 2 transistor è un raddrizzatore polarizzato in modo inclinato nella direzione a bassa conduzione. Essa quindi ha raddrizzatore barriera nel germanio vicino ad esso, che fa sì che l'impedenza del collettoresè elevata. Tuttavia, il collettore può essere influenzato dall'emettitore DEL GIORNALE TECNICO DEL SISTEMA A 370 CAMPANE se quest'ultimo è predisposto per emettere portatori di carica anomali, cioè portatori del segno non normalmente presenti all'interno del materiale. Circuiti Equivai.kntt come spiegato da liardecn, Bratlain, AN Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/la-rivista-tecnica-bell-system-fig-vista-in-sezione-del-transistor-collettore-emettitore-fig-il-meccanismo-a-2-transistor-e-un-raddrizzatore-polarizzato-in-modo-inclinato-nella-direzione-a-bassa-conduzione-essa-quindi-ha-raddrizzatore-barriera-nel-germanio-vicino-ad-esso-che-fa-si-che-l-impedenza-del-collettorese-elevata-tuttavia-il-collettore-puo-essere-influenzato-dall-emettitore-del-giornale-tecnico-del-sistema-a-370-campane-se-quest-ultimo-e-predisposto-per-emettere-portatori-di-carica-anomali-cioe-portatori-del-segno-non-normalmente-presenti-all-interno-del-materiale-circuiti-equivai-kntt-come-spiegato-da-liardecn-bratlain-an-image376098329.html
RM2CRTN75–. La rivista tecnica Bell System . Fig. Vista in sezione del transistor. COLLETTORE EMETTITORE. Fig. Il meccanismo a 2 transistor è un raddrizzatore polarizzato in modo inclinato nella direzione a bassa conduzione. Essa quindi ha raddrizzatore barriera nel germanio vicino ad esso, che fa sì che l'impedenza del collettoresè elevata. Tuttavia, il collettore può essere influenzato dall'emettitore DEL GIORNALE TECNICO DEL SISTEMA A 370 CAMPANE se quest'ultimo è predisposto per emettere portatori di carica anomali, cioè portatori del segno non normalmente presenti all'interno del materiale. Circuiti Equivai.kntt come spiegato da liardecn, Bratlain, AN
Vecchi transistor su bianco Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/vecchi-transistor-su-bianco-image363354584.html
RF2C346DC–Vecchi transistor su bianco
Vecchi transistor su bianco Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/vecchi-transistor-su-bianco-image363353297.html
RF2C344RD–Vecchi transistor su bianco
. La rivista tecnica Bell System . Fig. 25 - alcuni transistor di potenza. La resistenza aggiunta nel conduttore dell'emettitore tende a promuovere la stabilità, in modo che il thetransistor possa essere stabilizzato operando fuori da un generatore con impedenza im più elevata, possibilmente ad un costo in guadagno ridotto. Un aspetto corollario del fenomeno dello zoppo è che l'impedenza di ingresso di un transitorio ad alta potenza può diventare molto bassa o addirittura negativa. Una maggiore potenza in uscita dal transistore può essere ottenuta anche tramite increspatura della dissipazione ammissibile del collettore. Ciò è stato realizzato utilizzando un wafer sottile di germanio direttamente saldato ad un poliziotto Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/la-rivista-tecnica-bell-system-fig-25-alcuni-transistor-di-potenza-la-resistenza-aggiunta-nel-conduttore-dell-emettitore-tende-a-promuovere-la-stabilita-in-modo-che-il-thetransistor-possa-essere-stabilizzato-operando-fuori-da-un-generatore-con-impedenza-im-piu-elevata-possibilmente-ad-un-costo-in-guadagno-ridotto-un-aspetto-corollario-del-fenomeno-dello-zoppo-e-che-l-impedenza-di-ingresso-di-un-transitorio-ad-alta-potenza-puo-diventare-molto-bassa-o-addirittura-negativa-una-maggiore-potenza-in-uscita-dal-transistore-puo-essere-ottenuta-anche-tramite-increspatura-della-dissipazione-ammissibile-del-collettore-cio-e-stato-realizzato-utilizzando-un-wafer-sottile-di-germanio-direttamente-saldato-ad-un-poliziotto-image376098333.html
RM2CRTN79–. La rivista tecnica Bell System . Fig. 25 - alcuni transistor di potenza. La resistenza aggiunta nel conduttore dell'emettitore tende a promuovere la stabilità, in modo che il thetransistor possa essere stabilizzato operando fuori da un generatore con impedenza im più elevata, possibilmente ad un costo in guadagno ridotto. Un aspetto corollario del fenomeno dello zoppo è che l'impedenza di ingresso di un transitorio ad alta potenza può diventare molto bassa o addirittura negativa. Una maggiore potenza in uscita dal transistore può essere ottenuta anche tramite increspatura della dissipazione ammissibile del collettore. Ciò è stato realizzato utilizzando un wafer sottile di germanio direttamente saldato ad un poliziotto
Vecchi transistor su bianco Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/vecchi-transistor-su-bianco-image363354170.html
RF2C345XJ–Vecchi transistor su bianco
. La rivista tecnica Bell System . COLLETTORE T TIPO p Fig. 5-il transistor a giunzione n-p-n EMETTITORE PRIMARIO CONTROLLEDELECTRON COLLETORJUNCTION DI CORRENTE. B! PICCOLA CORRENTE RESIDUA INVERSA DEL COLLETTORE non CONTROLLATA dall'emettitore) Fig. Schema di un transistor a giunzione. * come mostrato da RJ-der e Kircher, l'impedenza del collettore AC, Tc = R22 - R12, dove R-v. è l'uscita imj a circuito aperto)edance e rij è l'impedenza del feed-hack a circuito aperto. Solitamente, R22 3> R12. 418 IL GIORNALE TECNICO DEL SISTEMA A CAMPANA, MAGGIO 1952 di germanio di tipo 2? Come parte dello stesso cristallo singolo. Ohmico non rettilineo Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/la-rivista-tecnica-bell-system-collettore-t-tipo-p-fig-5-il-transistor-a-giunzione-n-p-n-emettitore-primario-controlledelectron-colletorjunction-di-corrente-b-piccola-corrente-residua-inversa-del-collettore-non-controllata-dall-emettitore-fig-schema-di-un-transistor-a-giunzione-come-mostrato-da-rj-der-e-kircher-l-impedenza-del-collettore-ac-tc-r22-r12-dove-r-v-e-l-uscita-imj-a-circuito-aperto-edance-e-rij-e-l-impedenza-del-feed-hack-a-circuito-aperto-solitamente-r22-3-gt-r12-418-il-giornale-tecnico-del-sistema-a-campana-maggio-1952-di-germanio-di-tipo-2-come-parte-dello-stesso-cristallo-singolo-ohmico-non-rettilineo-image376098330.html
RM2CRTN76–. La rivista tecnica Bell System . COLLETTORE T TIPO p Fig. 5-il transistor a giunzione n-p-n EMETTITORE PRIMARIO CONTROLLEDELECTRON COLLETORJUNCTION DI CORRENTE. B! PICCOLA CORRENTE RESIDUA INVERSA DEL COLLETTORE non CONTROLLATA dall'emettitore) Fig. Schema di un transistor a giunzione. * come mostrato da RJ-der e Kircher, l'impedenza del collettore AC, Tc = R22 - R12, dove R-v. è l'uscita imj a circuito aperto)edance e rij è l'impedenza del feed-hack a circuito aperto. Solitamente, R22 3> R12. 418 IL GIORNALE TECNICO DEL SISTEMA A CAMPANA, MAGGIO 1952 di germanio di tipo 2? Come parte dello stesso cristallo singolo. Ohmico non rettilineo
Vecchi transistor su bianco Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/vecchi-transistor-su-bianco-image363354163.html
RF2C345XB–Vecchi transistor su bianco
. La rivista tecnica Bell System . un grafico simile per un punto di BeCu non formato preso dopo la superficie è stato dato un ammollo di dieci minuti in HF 24 per cento. EFFETTI DI SUPERFICIE DEL TRANSISTOR A CONTATTO DI PUNTO 791 la resistività misurata del germanio usato in questo esperimento era da 3.3 a 3.6 fl-cm. Dalle curve i e II si può osservare che l'aumento della grandezza del potenziale flottante vicino al punto non formato sulla superficie attaccata dopo il trattamento con HF è, in misura approssimativa, proporzionale all'aumento di /c(0, - 10) prodotto dal trattamento. Valuesof 2irVpr/i preso da linee di pendenza ( - 1) disegnato per meglio Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/la-rivista-tecnica-bell-system-un-grafico-simile-per-un-punto-di-becu-non-formato-preso-dopo-la-superficie-e-stato-dato-un-ammollo-di-dieci-minuti-in-hf-24-per-cento-effetti-di-superficie-del-transistor-a-contatto-di-punto-791-la-resistivita-misurata-del-germanio-usato-in-questo-esperimento-era-da-3-3-a-3-6-fl-cm-dalle-curve-i-e-ii-si-puo-osservare-che-l-aumento-della-grandezza-del-potenziale-flottante-vicino-al-punto-non-formato-sulla-superficie-attaccata-dopo-il-trattamento-con-hf-e-in-misura-approssimativa-proporzionale-all-aumento-di-c-0-10-prodotto-dal-trattamento-valuesof-2irvpr-i-preso-da-linee-di-pendenza-1-disegnato-per-meglio-image376104856.html
RM2CRW1G8–. La rivista tecnica Bell System . un grafico simile per un punto di BeCu non formato preso dopo la superficie è stato dato un ammollo di dieci minuti in HF 24 per cento. EFFETTI DI SUPERFICIE DEL TRANSISTOR A CONTATTO DI PUNTO 791 la resistività misurata del germanio usato in questo esperimento era da 3.3 a 3.6 fl-cm. Dalle curve i e II si può osservare che l'aumento della grandezza del potenziale flottante vicino al punto non formato sulla superficie attaccata dopo il trattamento con HF è, in misura approssimativa, proporzionale all'aumento di /c(0, - 10) prodotto dal trattamento. Valuesof 2irVpr/i preso da linee di pendenza ( - 1) disegnato per meglio
Vecchi transistor su bianco Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/vecchi-transistor-su-bianco-image363354196.html
RF2C345YG–Vecchi transistor su bianco
. La rivista tecnica Bell System . Fig. 19 circuito equivalente del comparatore di tensione. CIRCUITI A TRANSISTOR PER SISTEMI ANALOGICI E DIGITALI 325 0.7 )o> 0.6 R, = 30,000 OHM 20°C > u:o.5 o 0.3. 2 3 4 5 6 CORRENTE DIODO, IP, IN MICROAMPERE Fig. 20 volt-ampere caratteristica di un diodo a giunzione di silicio. Mentalmente si trova che Yh-e per i transistor a giunzione di germanio varia di circa 20 millivolt in tutto l'intervallo di temperatura da 20°C a 40°C. Di conseguenza, la variazione in Yi a cui il circuito commuta è±5 millivolt. È evidente dalla Fig. 20 che la precisione del comparatore Foto Stockhttps://www.alamy.it/image-license-details/?v=1https://www.alamy.it/la-rivista-tecnica-bell-system-fig-19-circuito-equivalente-del-comparatore-di-tensione-circuiti-a-transistor-per-sistemi-analogici-e-digitali-325-0-7-o-gt-0-6-r-30000-ohm-20-c-gt-u-o-5-o-0-3-2-3-4-5-6-corrente-diodo-ip-in-microampere-fig-20-volt-ampere-caratteristica-di-un-diodo-a-giunzione-di-silicio-mentalmente-si-trova-che-yh-e-per-i-transistor-a-giunzione-di-germanio-varia-di-circa-20-millivolt-in-tutto-l-intervallo-di-temperatura-da-20-c-a-40-c-di-conseguenza-la-variazione-in-yi-a-cui-il-circuito-commuta-e-5-millivolt-e-evidente-dalla-fig-20-che-la-precisione-del-comparatore-image376108237.html
RM2CRW5W1–. La rivista tecnica Bell System . Fig. 19 circuito equivalente del comparatore di tensione. CIRCUITI A TRANSISTOR PER SISTEMI ANALOGICI E DIGITALI 325 0.7 )o> 0.6 R, = 30,000 OHM 20°C > u:o.5 o 0.3. 2 3 4 5 6 CORRENTE DIODO, IP, IN MICROAMPERE Fig. 20 volt-ampere caratteristica di un diodo a giunzione di silicio. Mentalmente si trova che Yh-e per i transistor a giunzione di germanio varia di circa 20 millivolt in tutto l'intervallo di temperatura da 20°C a 40°C. Di conseguenza, la variazione in Yi a cui il circuito commuta è±5 millivolt. È evidente dalla Fig. 20 che la precisione del comparatore
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RF2C345YD–Vecchi transistor su bianco
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RF2C345Y9–Vecchi transistor su bianco
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RF2C345XK–Vecchi transistor su bianco
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RF2C345Y7–Vecchi transistor su bianco
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RF2C345WY–Vecchi transistor su bianco
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